메모리 반도체2 HBM의 뒤를 이을 차세대 기술, HBF: AI 시대의 새로운 메모리 패러다임 AI 반도체 경쟁이 치열해지는 가운데, **HBM(High Bandwidth Memory)**의 뒤를 이을 새로운 기술로 **HBF(High Bandwidth Flash)**가 부상하고 있습니다. 기존의 DRAM 기반 HBM은 빠른 속도를 제공하지만 용량 확장에 한계가 있었던 반면, HBF는 낸드 플래시 기반 스택 기술을 적용해 더 많은 용량을 확보하면서도 AI 워크로드에 특화된 성능을 제공할 것으로 기대됩니다.TrendForce의 최신 보고서에 따르면, HBF는 차세대 AI 데이터센터, 엣지 디바이스, 고성능 컴퓨팅(HPC)에 있어 메모리 지형을 크게 바꿀 잠재력이 있다고 평가받고 있습니다. 생활·업무 변화 요약일상 사용자에게는 스마트폰, PC, 클라우드 서비스의 AI 기능이 더욱 확장되고 반응 속도가.. 2025. 9. 21. SK하이닉스, 세계 최초 High NA EUV 양산 시대 열다 1. 기술 경쟁의 분기점반도체 기술은 점점 더 미세한 회로를 구현해야 하고, 그만큼 제조 장비의 정밀도가 중요해지고 있습니다.이런 가운데 SK하이닉스가 메모리 업계에서는 처음으로 양산용 High NA(High Numerical Aperture) EUV(Extreme Ultraviolet) 노광 장비를 도입했습니다. 이는 단순한 설비 업그레이드가 아니라 메모리 반도체의 집적도, 성능, 경쟁력 구조를 바꿀 수 있는 전환점이라 할 수 있습니다. Global 경쟁자들이 고성능·저전력·고집적 제품 요구를 빠르게 키우고 있는 상황에서, SK하이닉스의 이번 선택은 기술 리더십 확보를 위한 전략적 움직임입니다. 2. High NA EUV 기술 개요NA (Numerical Aperture, 개구수)의 의미NA는 노광 .. 2025. 9. 12. 이전 1 다음
