High-NA EUV 리소그래피1 High-NA EUV 리소그래피의 한계와 멀티패터닝의 귀환 반도체 제조 공정의 핵심은 얼마나 더 미세한 패턴을 안정적으로 구현할 수 있는가입니다.지난 10년간 EUV(Extreme Ultraviolet) 리소그래피는 7nm 이하 공정을 가능하게 하며 혁신의 상징이었습니다. 최근에는 High-NA EUV(개구수 0.55) 장비가 차세대 해상도 돌파구로 기대를 모으고 있습니다. 그러나 Semiwiki 분석에 따르면, 이 장비조차 스토캐스틱(stochastic) 결함을 완전히 피할 수 없어, 결국 **멀티패터닝(multipatterning)**을 병행해야 한다는 주장이 제기되었습니다. 이 소식은 단순히 기술적 이슈를 넘어, 과거 화웨이가 장비 제한 속에서 멀티패터닝을 강행했던 사례와 오늘날 글로벌 선두 업체가 멀티패터닝을 다시 채택해야 하는 상황을 대비시켜 줍니다. .. 2025. 9. 29. 이전 1 다음
